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Anern, con 16 años de experiencia en la industria energética, desde sistemas solares hasta accesorios solares, desde iluminación LED interior hasta iluminación solar exterior, somos una de las fuentes para satisfacer sus diversas necesidades.
Brindamos a los clientes soluciones integrales de energía solar y soluciones de iluminación de carreteras, y brindamos servicios de ODM y OEM, podemos satisfacer a los clientes compras de una sola vez, para proporcionar a los clientes servicios más completos.
Anern tiene 16 años de experiencia en iluminación solar y fabricación de productos solares. Anern tiene su sede en Guangzhou. Con una base de producción de 7.000 metros cuadrados, nuestra empresa cuenta con un equipo de I + D de más de 100 personas.
En el viaje de exploración de soluciones energéticas modernas, los dispositivos de nitruro de galio (GaN) en inversor solar híbrido en red representan un salto tecnológico significativo. A medida que la energía renovable se vuelve cada vez más popular y crece la demanda de sistemas de conversión de energía más eficientes, El nitruro de galio, como material semiconductor avanzado, con su rendimiento eléctrico superior y alta eficiencia, está revolucionando la tecnología de inversores.
El inversor solar híbrido en la red es un dispositivo electrónico de energía que puede convertir la corriente continua (CC) de la generación de energía renovable en corriente alterna (CA) para suministrar energía a la red o para sistemas de energía independientes. Un inversor híbrido integra almacenamiento de energía, conversión de corriente y voltaje, y la Alimentación de exceso de energía a la red.
El inversor solar híbrido en la red es un dispositivo de conversión de energía avanzado que puede cambiar de manera flexible entre los modos conectados a la red y fuera de la red, optimizando el flujo de múltiples fuentes de energía (como la energía solar, eólica, almacenamiento de la batería, y energía de la red) en elSistema inversor solar híbrido... No solo convierte la corriente continua en corriente alterna para uso doméstico y comercial, sino que también gestiona automáticamente la distribución de energía y la interacción de la red a través de un sistema de control inteligente, lo que garantiza una utilización eficiente de la energía y la estabilidad del suministro de energía. Especialmente en casos de inestabilidad de la red o cortes de energía, proporciona energía de respaldo crítica, lo que la convierte en una tecnología clave para lograr una gestión de energía moderna y eficiente.
Topología: Boost Inverter
La Aplicación del semiconductor de nitruro de galio (GaN) en el inversor solar híbrido en la red se centra principalmente en mejorar la eficiencia, la densidad de potencia y la confiabilidad del inversor. Específicamente, los semiconductores GaN se utilizan en varias partes clave:
Elementos de conmutación
Los semiconductores GaN se utilizan principalmente como elementos de conmutación en el inversor, como los transistores de efecto de campo (FET). Estos elementos de conmutación son responsables de la conversión entre corriente continua (CC) y corriente alterna (CA).
Los FET de GaN, debido a sus capacidades de conmutación de alta frecuencia y bajas pérdidas de conducción, juegan un papel crucial en la mejora de la eficiencia y la velocidad de respuesta del convertidor.
Módulos de conversión de energía
En los módulos de conversión de potencia del inversor, los semiconductores GaN permiten que el módulo funcione a frecuencias más altas, lo que reduce el tamaño y el costo de los inductores y condensadores al tiempo que aumenta la densidad de potencia.
Circuitos de control y accionamiento
En los circuitos de control y accionamiento, los semiconductores GaN se pueden utilizar para lograr estrategias de control más precisas y eficientes, especialmente en escenarios que involucran procesamiento de señales de alta frecuencia.
La Aplicación de semiconductores de nitruro de galio en el inversor solar híbrido en la red mejora significativamente el rendimiento general del inversor, incluida la mejora de la eficiencia, la reducción del tamaño y la disminución de las pérdidas térmicas, y aumentar la velocidad de respuesta y fiabilidad del sistema. A medida que la tecnología de semiconductores de GaN madure, su aplicación en dispositivos electrónicos de potencia continuará expandiéndose.
